项目信息
2026-08-17
广东天域半导体股份有限公司总部及生产制造中心改造项目2号厂房五楼六楼改造工程
项目规划总用地面积 63197.68 平方米，改造区域总建筑面积 11321.34 平方米，主要建设;五层及六层机电消防、洁净装修及洁净工艺生产配套机电内容，用于生产SiC外延晶片使用。
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项目规划总用地面积 63197.68 平方米，改造区域总建筑面积 11321.34 平方米，主要建设;五层及六层机电消防、洁净装修及洁净工艺生产配套机电内容，用于生产SiC外延晶片使用。