项目信息
2026-09-14
半导体超高纯钨靶材坯料产业一期项目
项目占地3460.74平方米，建筑面积20141.36平方米，新建2条生产线，购置氨溶釜、重结晶釜、离子交换器、清洗干燥设备、煅烧炉、还原炉、热压炉等主要生产设备约50台，年产210吨超高纯APT(仲钨酸铵），并以其为原料生产超高纯钨靶材坯料3000枚/年。
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